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IGBT

新一代(TrenchFSII)IGBT系列產(chǎn)品,基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)(TrenchFieldStop)理論,進一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu),采用了先進超薄片工藝制程(UltraThinWaferProcess),大幅提高了器件的功率密度,顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。
IGBT

  新一代(TrenchFSII)IGBT系列產(chǎn)品,基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)(TrenchFieldStop)理論,進一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu),采用了先進超薄片工藝制程(UltraThinWaferProcess),大幅提高了器件的功率密度,顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代(TrenchFS)IGBT,新一代(TrenchFSII)IGBT芯片面積更小,芯片厚度更薄;導通壓降(VCEsat)降低約0.3V,開關損耗降低20%以上;器件可耐工作溫度更高,使用壽命更長;且維持了較強的短路能力、較高的參數(shù)一致性;綜合性能達到業(yè)內(nèi)領先水平。

  針對不同的應用需求,推出了完善的IGBT產(chǎn)品系列,確保在特定應用中,器件保持最佳工作狀態(tài),助您實現(xiàn)最理想的整機效率。

  對于焊接、太陽能、UPS、電機驅(qū)動和家用電器等硬開關應用,推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)產(chǎn)品系列,提供各種封裝形式,方便用戶靈活設計。

  對于感應加熱、太陽能等諧振開關應用,推出了新一代1200V、1350V產(chǎn)品系列,具有高擊穿電壓、大通流容量等優(yōu)勢;與反并聯(lián)二極管或單片集成二極管合并封裝,方便應用設計。

  特點與優(yōu)勢:

  - 低導通壓降(VCEsat)

  - 低開關損耗(Ets)

  - 短路能力10us

  - 低電磁干擾

  - 電參數(shù)重復性和一致性

  - 高可靠性

  - 高溫穩(wěn)定性

  - 符合RoHS標準

  應用:

  - 電機驅(qū)動

  - 逆變焊機

  - 不間斷電源UPS

  - 變頻器

  - 工業(yè)逆變器

  - 太陽能功率轉(zhuǎn)換器

  - 電磁感應加熱

  - 諧振開關應用

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