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網站首頁 > 產品中心 > 東芯半導體(Dosilicon)

MCP

東芯半導體股份有限公司成立于2014年,總部位于上海,在深圳、南京、、中國香港、韓國均設有分公司或子公司,矢志成為前列的存儲芯片設計公司,服務全球客戶。作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導體擁有自主的知識產權,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的設計、生產和銷售,是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。
MCP

MCP

東芯MCP系列產品具有NAND Flash和DDR多種容量組合,Flash和DDR均為低電壓的設計,Core voltage 1.8V可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2兩種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝,簡化走線設計,節(jié)省組裝空間,高效集成電路,提高產品穩(wěn)定性。



規(guī)格:Specification:
電壓/Voltage1.8V
溫度/Temperature-40℃ — 85℃
容量/Density1Gb/2Gb/4Gb Flash

512Mb/1Gb/2Gb/4Gb LPDDR
封裝/PackageFBGA 130,FBGA 162
速度/SpeedFlash 30ns,45ns LPDDR1 200MHz

LPDDR2 400MHz,533MHz
線寬/WidthFlash *8/*16 LPDDR1 *16

LPDDR2 *16/*32


TypePart NumberNANDDRAMTemp.RangePKG TypeDatasheet
DensityOrgVoltageDensityOrgTypeSpeed

MCP

FMN1SD5SBB-50IA

1Gb

x16

1.8V

512Mb

x16

LPDDR1

200MHz

-40℃~85℃

FBGA 130(8x9x1.0mm)

Download

FMN1ET1TCB-25IH

1Gb

x8

1.8V

1Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET1TCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

1Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET2SCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

2Gb

X16

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN2ET2TCD-25IH

2Gb

x8

1.8V

2Gb

X32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

FMN4ET2TCB-25IH

4Gb

x8

1.8V

2Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.0mm)

Download

FMN4ET4DCF-25IH

4Gb

x8

1.8V

4Gb

x32

LPDDR2

400MHz

FBGA 162(8x10.5x1.1mm)

Download

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